您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册
您现在的位置:维库电子市场网 > 元器件 > 半导体存储器 > DRAM(MOS型动态存储器)
商铺首页 公司简介 IC产品 供应产品 诚信档案 客户留言

MT41K256M16HA-107G:E 原装DDR3L 现货供应

  • 型号:

    MT41K256M16HA-107G:E

  • 品牌:

    MICRON

  • 封装:

    FBGA96

  • 容量:

    4Gb

  • 包装:

    托盘

  • 存储技术:

    SDRAM-DDR3L

  • 存储格式:

    DRAM

  • 存储类型:

    易失

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 发布询价信息

    3000多家会员为您找货报价,SO EASY!

    VIP会员 第 2
  • 企业名:深圳记忆半导体有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-83224215

    手机:15323705512

    联系人:曹小姐

    QQ: QQ:1040180147

    邮箱:anna@memorysemi.com

    地址:广东深圳林肯娱乐注册 彩票罗湖区人民南路发展中心1705室

  • 商品信息



    主要参数


    型号:MT41K256M16HA-107G:E

    生产商:MICRON

    产品类别:第三代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器


    封装:FBGA96

    包装:托盘

    容量:4Gb

    存储类型:易失

    存储格式:DRAM

    存储技术:SDRAM-DDR3L

    存储接口:并联

    工作电压:1.283V ~ 1.45V

    安装类型:表面贴装

    器件状态:批量生产

    应用领域:汽车电子,台式电脑,服务器,游戏机,物联网设备,便携式电脑,智能电视,网络通信,

    人工智能,虚拟现实,增强现实,移动通信,工业控制,仪器仪表,安防监控,移动终端,


    DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory)第三代低功耗双倍数据率同步动态存储器,是一种电脑存储器规格。

    MT41K256M16HA-107G:E  DDR3L内存主要用于一些低功耗设备中,比如为了尽量提升笔记本续航,就可以选用这种低电压版DDR3L内存。

    DDR3L与DDR3功耗区别

    标准的DDR3内存采用1.5V工作电压,而DDR3L内存则采用的是1.35V工作电压。

    比如,一根4G DDR3L 1600笔记本内存,要比DDR3节省2W功耗,如果组成双通道将会节省4W功耗,简单来说,DDR3和DDR3L内存区别主要体现功耗和性能这两个方面。

    DDR3L与DDR3性能区别

    DDR3L内存功耗相比DDR3标准内存低了15%,功耗的降低,自然会造成性能的下降。通过测试,DDR3L内存性能要低于DDR3内存,不过两者差距并不算大。




    购买说明


    客户订购产品之前请联系我司销售代表确认产品的库存数量,库存位置,订货周期等相关信息。

    确认信息之后由我司销售代表通过公司系统生成订单,交由客户最后确认签字后生成正式订单。



    价格说明


    我司在爱采购商铺展示的价格为指导价格或该商品曾经展示的销售价格,非原价,仅供参考。

    具体售价以公司销售代表确认的价格为准。



    联系方式

    企业名:深圳记忆半导体有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-83224215

    手机:15323705512

    联系人:曹小姐

    QQ: QQ:1040180147

    邮箱:anna@memorysemi.com

    地址:广东深圳林肯娱乐注册 彩票罗湖区人民南路发展中心1705室

    提示:您在维库电子市场网上采购商品属于商业贸易行为。以上所展示的信息由卖家自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布卖家负责,请意识到互联网交易中的风险是客观存在的。请广大采购商认准带有维库电子市场网认证的供应商进行采购!

    电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9